中国用不了！日本芯片技术突破：全新蚀刻技术支持400层堆叠

我们前几天才介绍了国内的中微半导体，在蚀刻机部分已经支持3nm，算是在全球领先了。同样生产蚀刻机，并也支持3nm的海外公司当然也有，比如说全球三大蚀刻机巨头的日本东京电子以及美国应材公司，在技术上都逊色于我国中微半导体，而且市场份额也要大得多！不过日本的芯片技术曾在全球领先，技术积累是一直比较强的，而东京电子在蚀刻技术方面最近又获得了不小的突破，甚至会影响到全球NAND芯片的发展。

东京电子最近宣布自己旗下的等离子体蚀刻系统的开发和制造基地，已经开发出一种创新的通孔蚀刻技术，用于堆叠超过400层的先进3D NAND闪存芯片。开发团队的新工艺首次将电介质蚀刻应用带入低温范围，从而打造了一个具有极高蚀刻率的系统。目前国内长江存储在有先进设备的支持下，可以做到232层堆叠，而东京电子新的蚀刻技术，则可能让未来的闪存芯片在性能和容量上踏入一个新的台阶。

据悉这项新的蚀刻技术，可以在短短半小时内完成10微米深度的高纵横比蚀刻，缩减了耗时，而且蚀刻结构的几何形状相当明显，也有助于制造更高容量的3D NAND闪存芯片。东京电子也发布了蚀刻后的相关影像，包括蚀刻后通孔图案的横截面SEM图像，以及孔底的FIB切割图像，另外还有东京电子的3D NAND闪存芯片的案例。

东京电子也开始预告，表示开发该项技术的团队将于日本京都，举行的2023年超大规模集成电路技术和电路研讨会上发表最新的研究成果报告。这是最负盛名的国际半导体研究会议之一，东京电子将在这次会议上展示全新的技术。考虑到今年是东京电子成立60周年，所以东京电子似乎也希望能在今年有一些作为，可以提升自己在半导体领域的影响力。

不过东京电子的蚀刻技术大概率是无法在国内引入的，因为按照之前美国的半导体管控，先进的NAND堆叠技术是无法出口到中国的，包括设备也是如此。所以国内的长江存储现在产能也因此受到了不小的影响。而东京电子也有很多技术和设备因为半导体管控而无法输入到国内，所以很显然这个蚀刻技术以及相应的设备，暂时是无法进入国内的。

虽然不是说一定要东京电子的蚀刻机以及技术，才能让NAND芯片的堆叠能力更上一层楼，但是受到设备和技术的限制，有可能会使得国内的NAND芯片厂商，在技术发展上落后于欧美的厂商，毕竟美光、三星、海力士、凯侠这些公司都能购买东京电子的设备。当然了，我国自己的蚀刻机技术能力发展也不差，关键除了蚀刻机之外，其他先进的设备也受到了限制，这的确就没有太多办法了！