今日,三星电子宣布已向全球核心客户交付业内首批12 层堆叠HBM4E样品,完成样品验证与优化后将启动批量生产。

作为HBM4的迭代产品,HBM4E采用第六代10纳米级DRAM工艺(1c)与4nm逻辑基片,面向大模型训练、生成式AI及高性能计算场景优化。核心规格较HBM4全面提升:引脚速率稳定14Gbps、可扩展至16Gbps,性能提升超20%;单堆栈带宽达3.6TB/s,容量48GB,较上一代提升超30%;同时能效提升16%、热阻改善超14%,适配数据中心高负载运行需求。三星还规划扩展产品阵容,后续推出8层32GB、16层64GB版本,满足多样化算力配置需求。
HBM是AI加速芯片的核心配套部件,带宽与容量直接决定AI训练与推理效率,当前市场由三星、SK海力士、美光三足鼎立。三星自2015年布局HBM,历经十代产品迭代,今年2月已实现HBM4量产,是 全球首家完成HBM4量产的企业。SK海力士HBM4E计划2026年下半年送样、2027年量产;美光HBM4E同样瞄准2027年量产,行业将逐步从良率竞争转向规格主导与定价权争夺。
海通国际证券认为,伴随AI服务器出货量增长与HBM迭代渗透提速,叠加供给端瓶颈约束,HBM中长期价格仍具备上行空间。
丁丁打折网©版权所有,未经许可严禁复制或镜像 ICP证: 湘ICP备2023003002号-11
Powered by 丁丁打折网本站为非营利性网站,本站内容均来自网络转载或网友提供,如有侵权或夸大不实请及时联系我们删除!本站不承担任何争议和法律责任!
技术支持:丁丁网 dddazhe@hotmail.com & 2010-2020 All
rights reserved