6月20号消息,台积电最近开始准备为苹果和英伟达试产2nm产品。
台积电将派1000名研发人员前往位于竹科目前正在建设的Fab 20晶圆厂工作专门研发2nm制程。据了解,该厂计划在2025年开始量产。
随着台积电在先进的逻辑技术上不断突破,台积电正在超越FinFET,并将2纳米节点商业化,这是一种以纳米片晶体管为特色的一流逻辑技术。
台积电业界领先的N2技术具有卓越的低Vdd性能,非常适合移动和可穿戴应用。此外,N2的超薄堆叠纳米片为高性能计算提供了一个新的能效计算水平。后侧电源导轨也将增加,以进一步提高性能。
台积电公布其2nm制程路线图,取代FinFET(鳍式场效应晶体管)后采用纳米片电晶体(Nanosheet)。
相较于N3,在相同功耗下,速度提升10~15%;相同速度下,功耗可以降低25~30%,如果成功量产,必然又是一代神U。
(图源自台积电官网)
编辑点评:凭借台积电的超强的科技实力,相信2nm的芯片量产之后,可以实现大幅度的性能超越。虽然当前的手机性能已经接近摩尔定律的极限,每一代的升级性能已经不如开始那么成倍的放大。在软件环境没有变化的基础上,芯片的性能上的迭代提高是重要的。
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