台积电：2nm节点进展顺利 良率已超80% 同频功耗下降7%

【太平洋科技资讯】据台媒《MoneyDJ 理财网》报道，台积电高管在 2024 年技术论坛新竹场上透露，其采用 Nanosheet 纳米片的 2nm 制程进展顺利。目前转换表现已达到目标 90%，按良率计算也超过 80%，预计在 2025 年推出时将成为代工业界最领先的技术。

台积电计划在 2025 年下半年实现 N2 制程量产，同期还将带来面向 HPC 应用的 N3X 制程。N3X 制程具有更高的 1.2V 最大电压，相比 N3P 制程在相同频率下功耗降低 7%，在相同面积下性能提升 5%，在相同频率下密度提升 10%。这一创新技术预计将从今年开始接获投片。

此外，台积电还计划在 2026 年下半年量产两个 2nm 家族变体制程：N2P 和 A16。N2P 制程相较于 N2 制程，在相同频率和密度下功耗降低 5~10%，在相同密度和功耗下性能提升 5~10%。这一变体有望为高性能计算市场带来更多选择。

值得注意的是，在 A16 节点，台积电将正式引入背面供电技术。该技术可在相同工作电压下，频率提升 810%;在相同频率下功耗降低 1520%，密度至高提升 10%。这一创新技术将进一步优化台积电的制程工艺，提高芯片的性能和能效。

台积电在 2nm 制程工艺上的进展顺利，预计将在未来几年内实现多个变体的量产。这将进一步巩固台积电在全球半导体领域的领先地位，为智能设备、云计算和人工智能等领域提供更高性能、更低功耗和更高能效的芯片解决方案。但是随着科技的不断进步，芯片制程的微缩越来越困难，需要不断克服各种挑战，如材料、制造工艺、良品率等。或许硅基芯片即将走到尽头，探索新基材的芯片或许也该提上日程了。