英特尔公布18A制程更多细节 性能提升25%同时功耗降低36%

【太平洋科技快讯】近日，英特尔在2025年VLSI研讨会上公布了更多关于其最新制程节点 18A的细节，展现了其在半导体领域的最新突破，并与台积电的2nm制程展开直接竞争。

英特尔18A制程采用了两项关键创新技术：RibbonFET环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。RibbonFET技术通过全环绕栅极设计，实现对电流的精确控制，从而提升晶体管性能和能效。而PowerVia技术则是业界首创，将供电线路移至芯片背面，释放了正面布线空间，提高了单元封装密度和电力传输的稳定性。

在PPA(性能、功耗、面积)方面，Intel 18A制程表现出色。在标准Arm核心架构的芯片上，Intel 18A在1.1V电压下实现了25%的速度提升和36%的功耗降低。此外，其面积利用率也高于前代Intel 3制程，意味着更高的面积效率和更高密度设计的潜力。

市场分析指出，Intel 18A制程的性能值为2.53，略高于台积电N2的2.27。尽管在晶体管密度方面可能略逊一筹，但Intel 18A凭借其创新的背面供电技术，在面积效率和电力传输稳定性方面扳回一城。TechInsights的分析也显示，Intel 18A在性能方面具有优势。

英特尔预计将首先在其Panther Lake SoC和Xeon的Clearwater Forest 中采用Intel 18A制程。这些产品主要面向高性能计算和市场。市场预计，搭载Intel 18A制程的终端产品最早将在2026年问世。如果良率问题得到有效控制，Intel 18A有望成为台积电2nm制程的有力竞争者，并在云计算、AI等领域推动英特尔市场份额的增长。