曝20周年纪念版iPhone将引入HBM存储 增强端侧AI性能

【太平洋科技快讯】5月15日，据相关爆料透露，苹果正研发多项技术用于2027年推出的20周年版iPhone。其中，HBM(高带宽)技术是关键发展方向，该技术有望大幅提升iPhone的性能，尤其是在设备端人工智能(AI)方面。

HBM，全称为High Bandwidth Memory(高带宽内存)，是一种基于3D堆叠技术的全新高性能DRAM。它利用TSV(硅通孔)工艺将多个内存芯片垂直堆叠，在提高数据吞吐量的同时降低功耗并缩小内存芯片体积。与传统的2D内存相比，HBM通过立体互联实现了更高的集成度和更快的读写速度。

苹果计划将移动HBM与iPhone的GPU单元连接，以增强设备端的AI计算能力。这项技术对于运行端侧AI大模型至关重要，不仅可以避免电量过快耗尽，还能显著降低计算延迟。HBM与处理器通过相同的Interposer中间介质层实现紧凑连接，这种设计既节省了芯片面积，又减少了数据传输时间。

据称，苹果已与三星电子和SK海力士等主要内存供应商就HBM内存供应计划进行了讨论。三星正在开发VCS的封装方案，而SK海力士则采用VFO技术，两家公司都计划在2026年后实现HBM内存的量产。

尽管HBM内存技术优势明显，但在移动设备中的应用仍面临诸多挑战。HBM的制造成本远高于现有的LPDDR内存。作为一款轻薄设备，iPhone的散热问题将是一个重要考验。此外，3D堆叠和TSV工艺采用高度复杂的封装工艺，良率也是一个不容忽视的挑战。