7月2日消息,全球顶尖半导体研究机构比利时微电子研究中心(imec)近日发布2026年制程技术路线图,预测2038年有望实现0.3纳米制程工艺,并指出互补式场效应晶体管(CFET)架构是突破下一代先进制程的核心技术。
这份imec技术路线图由台积电、英特尔、英伟达、AMD、三星、ASML等行业巨头共同参与编制,清晰展示了未来芯片制造面临的技术挑战与发展规划,业内分析认为,imec最新制程路线图的发布,印证摩尔定律仍将持续演进。
在技术细节方面,CFET晶体管通过将N型和P型晶体管垂直堆叠,而非传统的平面并排布局,能够显著提升晶体管密度、降低功耗并改善性能,这一技术被认为是延续摩尔定律、突破2纳米以下制程瓶颈的关键路径。
台积电作为全球最大晶圆代工厂,已提前布局CFET晶体管技术研究,持续保持行业技术领先优势,根据台积电此前公布的规划,公司计划在2028年至2030年间量产采用CFET技术的先进制程芯片。
值得一提的是,0.3纳米制程已接近原子尺度(硅原子直径约0.2纳米),实现这一目标需要在材料科学、制造设备、架构设计等多个领域取得革命性突破。

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